无位错Te-GaSb（100）单晶抛光衬底的晶格完整性

采用液封直拉法（LEC）分批生长的直径为2英寸（1英寸=2.5厘米）的n型te-GaSb（100）单晶，其位错腐蚀坑密度（EPD）通常低于300　 cm-2，达到无位错的水平。本文利用X射线摇摆曲线和倒数空间图（RSM）对GaSb单晶抛光基板的晶格完整性和亚表面损伤进行了分析和表征。结果表明，经过工艺条件优化的化学机械抛光处理后，GaSb单晶衬底表面原子光滑，无亚表面损伤层。采用分子束外延技术可以在该衬底上稳定生长类高质量超高山外延材料，并显示出优异的红外探测性能。本文综合分析了锑化镓基片材料的物理性能、生长制备和基片加工条件之间的内在关系。