单孔柱-孔汇聚结构放电通道电阻率

分析了柱孔聚集结构放电通道的电阻率。认为库仑碰撞产生的经典电阻率不足以解释放电通道的等效阻抗。根据广义欧姆定律，充分考虑强磁场环境中独特的霍尔效应项，可以更好地解释放电通道的等效阻抗。理论研究表明，当阴极等离子体温度较低时，放电通道的等离子体密度与磁场强度近似成正比，与有效电子密度成反比。实验平台大学在“强光一号”加速器的基础上进行了单孔柱孔聚集结构的电流传输实验。利用实验数据和广义欧姆定律，计算出放电通道的有效等离子体密度为1015～1015cm-3。基于广义欧姆定律，考虑强磁场对放电通道电阻率的影响，对电阻率估算方法进行了改进，为单孔柱孔集合体结构间隙短路后损耗电流的估算提供了新的研究角度。本文的研究成果可用于大型脉冲功率器件的早期研究，从而估算器件的电流损耗程度，为器件的研制提供技术依据。