基于SOI射频开关和电容阵列的天线调谐器

基于0.18mSOICMOS工艺，开发了一种高度集成的天线调谐器芯片。该芯片集成了射频开关、电容阵列和数模混合控制电路，面积仅1平方米。该芯片的核心射频电路由5个bit电容阵列和SP3T射频开关并联组成。电容阵列采用基于射频开关的二元加权并联结构，具有较高的电容值调节精度和调谐比。测试结果表明，电容器阵列的电容值从0.3pF阶跃至3.4pF，每阶为0.1 PF，最大品质因数为36＠1GHz，SP3T开关的直流导通电阻为1，关断电容为180，fF＠2.7GHz，插入损耗为0.86dB＠2.7GHz，输入功率为35dBm，二次谐波和三次谐波分别为-62dBm和-57dBm。