全无机钙钛矿CsPbI2Br与Spiro-OMeTAD界面电子结构的研究

全无机钙钛矿太阳能电池因其优异的相稳定性和热稳定性峰稳定性而日益成为研究热点。在钙钛矿太阳能电池中，空穴传输层和钙钛矿界面的电子结构对器件的性能起着决定性的作用。适当的界面电子结构可以促进钙钛层向空穴传输层的高效注入，并有效阻止光生电子的注入，从而减少空穴和电子的复合。鉴于空穴传输层和钙钛矿界面的电子结构在全无机钙钛矿太阳能电池中的重要性，本文在CsP、bI2Br、原位X射线和紫外光电子能谱表征的全无机基底上测量了bI2Br和CsPSpiroOMeTAD之间界面的电子结构。结果表明，e　V和eV之间的TAD 0.0和TAD 27.0界面不能分别在OMeTAD和bI2Br的界面上形成。因此，界面处空穴注入势垒spiro-ometad的最高占据分子轨道与CsPbI2Br价带山顶之间的能级差为0.23eV，这有利于空穴注入和萃取。同时，电子势垒spiro-ometad的最低未被占据分子轨道与CsPbI2Br导带底部之间的能级差为1.25eV，这可以有效防止电子从CsP和bI2Br转移到spiro-ometad，减少空穴和电子的复合。结果表明，SpiroOMeTAD也是基于CsPbI2Br的全无机钙钛矿太阳能电池中的一种优秀空穴传输层材料。