退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响

采用原子层沉积技术制备了Al2O3薄膜作为In　Sb材料的介电层。MIS已经准备好了设备。研究了不同退火温度对金属化后界面特性的影响。C-V测试用于表征MIS（金属-绝缘体-半导体）器件的界面特性。结果表明，Al2O3介质层在表面引入了固定的正电荷，200和300的退火处理可以有效地降低慢界面态密度。用Terman方法得到了禁带的界面态密度分布。结果表明，200退火可以显著降低禁带中心和导带附近的界面态密度。同时，分析了C-V曲线滞后的原因。认为Al2O3介质层界面附近的负体陷阱电荷是主要影响因素。实验表明，200～300℃的退火处理可以有效地改善InSb/Al2O3界面的质量。